取代型Dawson 结构钨磷镓杂多酸的合成及导电性能
摘要
采用降解- 离子交换- 冷冻法合成了一种取代型Dawson 结构钨磷镓杂多酸 H<sub>7</sub>[Ga(H<sub>2</sub>O)P<sub>2</sub>W<sub>17</sub>O<sub>61</sub>]·18H<sub>2</sub>O. 通过电位滴定、红外、紫外、X 射线粉末衍射及热重-差热分析 等手段对其进行了表征. 在此基础上, 研究了H<sub>7</sub>[Ga(H<sub>2</sub>O)P<sub>2</sub>W<sub>17</sub>O<sub>61</sub>]·18H<sub>2</sub>O 的质子导电性能及 机理. 结果表明, 在50℃时, 该化合物的电导率为5.44×10<sup>-3</sup>S/cm, 是一种新的固体高质子导体. 通过测定不同温度下产物的电导率, 得到H<sub>7</sub>[Ga(H<sub>2</sub>O)P<sub>2</sub>W<sub>17</sub>O<sub>61</sub>]·18H<sub>2</sub>O的活化能是36.04 kJ/mol, 其质子导电机理为Vehicle 机理.
引用本文（GB/T 7714）
剑 龚, 学宇 钱, 霞 童, 等. 取代型Dawson 结构钨磷镓杂多酸的合成及导电性能[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2011.
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