利用强流脉冲离子束技术在室温下沉积类金刚石薄膜研究

Mei Xian-Xiu、Xu Jun、Ma Tengcai、三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学,大连116024

2002Acta Physica SinicaMaterials Science被引 14开放获取

摘要

利用强流脉冲离子束技术在Si基体上快速大面积沉积类金刚石(DLC)薄膜.电压为250kV,束流密度为250A·cm-2,脉宽为80—100ns,能流密度为5J·cm-2的离子束(主要由碳离子和氢离子组成)聚焦到石墨靶材上,使石墨靶材充分蒸发和电离,在石墨靶的法线方向的Si基体上沉积非晶的碳薄膜.Raman谱分析显示,所沉积薄膜为类金刚石薄膜.随着靶材与基体之间距离的减小,薄膜中sp3碳成分含量增加,同时硬度值也有所增大,并且薄膜的摩擦系数和表面粗糙度增加.x射线光电子能谱(XPS)分析显示薄膜中的sp3碳

引用本文（GB/T 7714）

Mei Xian-Xiu, Xu Jun, Ma Tengcai, 等. 利用强流脉冲离子束技术在室温下沉积类金刚石薄膜研究[J]. Acta Physica Sinica, 2002.

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DOI：https://doi.org/10.7498/aps.51.1875

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