东太平洋沉积物中自然GaN晶体的首次报道
摘要
本文报道了在东太平洋表层沉积物中发现的天然GaN晶体, 这是天然GaN晶体在自然界中首次被发现. 天然GaN晶体的确定是通过透射电子显微镜(TEM), 能量损失谱(EELS)和X射线能谱(EDS)等综合微束分析技术完成的. 该天然GaN晶体属于六方晶系, 晶胞参数为: <I>a</I>=<I>b</I>=0.3186 nm; <I>c</I>=0.5178 nm, P6<SUB>3</SUB>mc, 其结构与高温高压实验合成的人造GaN晶体结构完全吻合. 在TEM下, 该GaN晶体呈现完好的晶体形态, 可以排除它们是异地搬运的人工合成的产物. 由于发现GaN的站位位于东太平洋CC区(克拉里昂断裂带—克利帕顿断裂带之间), 区内发育有断裂构造,受到火山作用和热液活动影响,推测其成因可能与热液活动或深部的高温、高压作用有关, 但其形成的确切温压条件和地质环境尚需进一步深入研究.
引用本文（GB/T 7714）
学法 石, 晶 陈. 东太平洋沉积物中自然GaN晶体的首次报道[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2006.
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