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奥氏体/马氏体异相界面的电子密度

志林 刘

1995Chinese Science Bulletin (Chinese Version)Engineering被引 1开放获取

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摘要

复相合金与复合材料中都存在着异相界面.改善基体与第二相界面的工作已成为材料研究中的重要课题.近年来在复合材料中提出的强界面结合及弱界面结合模型、基体与增强体相匹配的强化机理等在复相合金中也同样适用.这些研究涉及界面物理及界面化学,也包括界面的原子结构及电子状态.程开甲先生认为通常的TFD模型在材料设计、电子输运现象等实用领域中不完善,似乎是在处理原子条件中,特别是在固体中原子的边界条件处理上有一些错误,正确的边界条什是存在的,只是一直未找到.程开甲指出,原子的边界条件

引用本文(GB/T 7714)

志林 刘. 奥氏体/马氏体异相界面的电子密度[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 1995.

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DOI:https://doi.org/10.1360/csb1995-40-22-2040

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