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非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析

Lin Kui-XunXuanying LinLiang Hou-YunChi Ling-FeiYu Chu-YingChuangjun Huang汕头大学物理系,汕头515063

2002Acta Physica SinicaMaterials Science被引 2开放获取

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摘要

摘要 在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 退火温度为550℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm 退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为15μm. 关键词: 固相晶化 多晶硅薄膜 非晶硅薄膜 Abstract Keywords: 作者及机构信息 林揆训, 林璇英, 梁厚蕴, 池凌飞, 余楚迎, 黄创君 1. 汕头大学物理系,汕头515063 基金项目: 国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 8)~~ Authors and contacts Lin Kui-Xun, Lin Xuan-Ying, Liang Hou-Yun, Chi Ling-Fei, Yu Chu-Ying, Huang Chuang-Jun 1. 汕头大学物理系,汕头515063 参考文献 施引文献

引用本文(GB/T 7714)

Lin Kui-Xun, Xuanying Lin, Liang Hou-Yun, 等. 非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析[J]. Acta Physica Sinica, 2002.

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DOI:https://doi.org/10.7498/aps.51.863

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