等离子体浸没式氧离子注入技术修饰ITO表面的研究
摘要
有机电致发光器件(OLED)具有自发光、低功耗、响应快、亮度高、可视角度大等特点, 是下一代理想的显示技术及面光源. 当前OLED广泛采用氧化铟锡(ITO)透明阳极兼出光窗口, 然而, ITO表面功函数与器件内层有机材料最高电子占有轨道(HOMO)之间的势垒较高, 器件工作电压高, 导致能效偏低以及稳定性差等问题. 射频等离子体处理ITO可获得一定幅度功函数提高(约0.4 eV), 但仍未达到与有机材料最高电子占有轨道匹配程度, 而且, 处理效果时效性很短, 只有数小时. 而采用等离子体浸没式氧离子注入(PIII)技术修饰ITO表面, 可精确控制氧离子注入剂量及深度, 改变ITO表层氧、铟、锡3种元素原子比例. 在不改变ITO薄膜主体透明性及导电性的基础上, 表面功函数提高幅度达0.8 eV, 与主要的OLED空穴输运有机材料的HOMO能级匹配, 并且, 处理效果经过50 h后未见明显衰退迹象.
引用本文（GB/T 7714）
卫海 成, 晓轩 范, 荣庆 梁, 等. 等离子体浸没式氧离子注入技术修饰ITO表面的研究[J]. Scientia Sinica Technologica, 2013.
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