电阻转变型非挥发性存储器概述
摘要
随着材料科学以及半导体技术的高速发展, 电阻转变型存储器(RRAM)器件由于其具有非挥发特性、高读写速度、低功耗、高集成度、多值存储能力、低成本等优势, 引起了人们极大的兴趣并一度成为现阶段研究的热点. 和所有产品一样, RRAM 器件也需要一些性能参数来评判其优缺点. 对RRAM 器件来说, 评判其性能的主要参数包括操作电压、操作速度、电阻比率、耐受性、保持特性、多级存储、器件良率. 此外, 还对导致RRAM器件发生电阻转变的主要机理, 不同电极材料、掺杂以及不同器件结构对电阻转变特性的影响进行了总结. 最后, 对RRAM 存在的主要问题以及研究的重点作了简单评述.
引用本文（GB/T 7714）
颖弢 李, 肃 刘, 世兵 龙, 等. 电阻转变型非挥发性存储器概述[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2011.
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