CMP中接触与流动关系的分析
摘要
分别考虑抛光垫基体和粗糙峰变形建立化学机械抛光(chemical mechanical polishing/planarization, CMP)的一维两层接触模型和抛光液流动模型, 分析了CMP中接触压力和流动的关系, 利用数值方法模拟了抛光垫基体和粗糙峰变形情况, 以及接触压力和流体压力的分布情况. 分析表明在晶片入口区附近形成了发散间隙, 从而抛光液流体出现负压, 在晶片边缘形成了高应力集中导致的过度抛光, 解释了CMP的这两个基本特征.
引用本文（GB/T 7714）
朝辉 张, 建斌 雒, 永平 杜. CMP中接触与流动关系的分析[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2006.
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