Ce:KNSBN晶体中的光扇效应及其图像存储

2007Chinese Science Bulletin (Chinese Version)Physics and Astronomy被引 1开放获取

摘要

采用非同时读出条件下的两波耦合实验装置, 以单束光入射Ce:KNSBN光折变晶体, 研究了入射光强度和光入射角对Ce:KNSBN晶体中光扇效应的影响. 研究发现, 光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性, 入射光强度阈值为38.2 mW/cm2; 对应相同的入射光强度, 光入射角θ 为15°时稳态光扇强度Ifsat最强. 研究了入射光调制对晶体中光扇噪声及体全息存储的影响, 入射光调制抑制了光扇噪声对Ce:KNSBN晶体两波耦合及体全息存储的影响, 使得再现图像质量得到了明显改善.

引用本文（GB/T 7714）

盼来李, 立斌庞, 庆林郭, 等. Ce:KNSBN晶体中的光扇效应及其图像存储[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2007.

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DOI：https://doi.org/10.1360/csb2007-52-1-23

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