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中子辐照直拉硅中的本征吸除效应

Yangxian Li、Liu He-Yan、Niu Peng-Juan、Caichi Liu、Yuesheng Xu、Deren Yang、Que Duan-Lin、(1)河北工业大学材料学院,天津300130; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

2002Acta Physica SinicaMaterials Science被引 3开放获取

摘要

摘要 对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究.结果表明:经中子辐照后,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的清洁区.清洁区宽度受辐照剂量和退火温度所控制,清洁区一旦形成,就不随退火时间变化.大量的缺陷在中子辐照时产生,并同硅中氧相互作用,加速了硅片体内氧的沉淀,是快速形成本征吸除效果的主要因素,从而把热历史的影响降到次要地位 关键词: 本征吸除 / 中子辐照 / 直拉硅 Abstract Keywords: / / 作者及机构信息 李养贤1, 刘何燕1, 牛萍娟1, 刘彩池1, 徐岳生1, 杨德仁2, 阙端鳞2 (1)河北工业大学材料学院,天津300130; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027 基金项目: 国家自然科学重点基金 (批准号 :5 0 0 3 2 0 10 );河北省自然科学基金;天津市自然科学基金重点资助课题~~ Authors and contacts Li Yang-Xian1, Liu He-Yan1, Niu Peng-Juan1, Liu Cai-Chi1, Xu Yue-Sheng1, Yang De-Ren2, Que Duan-Lin2 (1)河北工业大学材料学院,天津300130; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027 参考文献 施引文献

引用本文（GB/T 7714）

DOI：https://doi.org/10.7498/aps.51.2407