无显影气相光刻的研究
摘要
我们曾发现一重要现象,如果我们将硅片表面氧化或淀积一层SiO<sub>2</sub>,然后在其上涂布一层光刻胶,如聚乙烯醇肉桂酸酯,加图形(掩膜)经紫外光曝光后,将其置于由N<sub>2</sub>携带的HF,H<sub>2</sub>O气氛中,在较高温度下经一定时间后,在曝光区胶膜下部的SiO<sub>2</sub>可被腐蚀尽,而非曝光区胶膜下部的SiO<sub>2</sub>可保留下来, 于是可以得到一个光刻图像.
引用本文（GB/T 7714）
卫平 符, 啸吟 洪, 琦 周, 等. 无显影气相光刻的研究[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 1980.
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