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SiC多型体几何结构与电子结构研究

Jiang Zhen-Yi、Xiaohong Xu、Wu Hai-Shun、Fuqiang Zhang、Jin Zhi-Hao、(1)山西师范大学材料化学研究所,临汾041004; (2)西安交通大学材料科学与工程学院,西安710000; (3)西安交通大学材料科学与工程学院,西安710000山西师范大学材料化学研究所,临汾041004

2002Acta Physica SinicaEngineering被引 4开放获取

摘要

采用平面波超软赝势法和范数不变赝势法对几种SiC多型体的几何结构、能带结构等进行了系统的研究.结果表明:6HSiC导带最低点在ML线上U点,用平面波超软赝势法计算时U点在(0000,0500,0176)点附近;而用范数不变赝势法计算时在导带最低点附近能带呈现不连续点,不连续点出现在(0000,0500,0178)点附近.两种赝势法计算结果相比,用平面波超软赝势法得到的导带最低点位置更靠近布里渊区M(0,05,0)点.在平面波超软赝势下,随着六角度的增加,cp,cpa增大的趋势较为明显,能隙和价带宽度变宽的趋势也较为明显.在计算极限内,绝对零度下4HSiC系统能量最低、最稳定,而Ewald能量显示3CSiC最稳定.

引用本文（GB/T 7714）

DOI：https://doi.org/10.7498/aps.51.1586