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1.03μm波长激发电光晶体的太赫兹响应

振宇 赵、之战 陈、旺舟 石、从文 罗

2014Chinese Science Bulletin (Chinese Version)Engineering被引 1开放获取

摘要

理论研究了掺镱飞秒激光激发<110>晶向的电光晶体太赫兹(THz)的产生与探测, 根据相位匹配条件, 在声子共振频率以下分别计算了厚度为0.1 mm的CdTe, GaP, GaAs三种晶体的光学色散与THz波段色散关系、THz波段的吸收频谱、相干长度以及THz发射与探测频谱. 结果表明, CdTe的THz最佳发射频率为2.65 THz, 而对于GaAs和GaP, THz最佳发射频率分别达到6.56和4.77 THz. 通过计算晶体的THz响应函数, 发现对于0.1 mm厚的CdTe晶体, 其截止频率仅为3.45 THz, 而同样厚度GaP和GaAs截止频率则拓展到6.37和7.15 THz. 通过引入THz吸收系数计算上述材料在THz电光采样中的灵敏度, 发现当晶体厚度小于1.58 mm时, CdTe的THz采样灵敏度高于GaP和GaAs. 当晶体厚度进一步增大时, GaAs的THz采样灵敏度超过CdTe和GaP.

引用本文（GB/T 7714）

DOI：https://doi.org/10.1360/csb2014-59-20-1949