利用电子束光刻技术实现200 nm栅长GaAs基MHEMT器件

2008Chinese Science Bulletin (Chinese Version)Engineering被引 1开放获取

摘要

电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一, 利用电子束光刻技术制备出200 nm栅长GaAs基MHEMT器件. 同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻, 采用3层胶工艺, 实现了T型栅. GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频和功率性能, 电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到105和70 GHz, 为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.

引用本文（GB/T 7714）

海英张, 晓君付, 文新王, 等. 利用电子束光刻技术实现200 nm栅长GaAs基MHEMT器件[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2008.

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DOI：https://doi.org/10.1360/csb2008-53-5-593

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