GaN及其Ga空位的电子结构
摘要
摘要 用团簇埋入自洽计算法对宽禁带半导体GaN的电子结构进行了自旋极化的、全电子、全势场的从头计算,得到了与实验值符合的GaN晶体禁带宽度以及价带中N2p带、N2s带和Ga3d带之间的相对位置.在此基础上Ga空位计算(无晶格畸变)显示,Ga空位周围的费米面显著高于正常GaN晶格的费米面.因此Ga空位周围N原子的处于费米面上的2p电子很易被激发成正常晶格处的传导电子 关键词: GaN / 电子结构 / 团簇埋入自洽计算 Abstract Keywords: / / 作者及机构信息 何军, 郑浩平 1. 同济大学玻尔固体物理研究所,上海200092 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号 :6 9876 0 2 8)资助的课题 Authors and contacts He Jun, Zheng Hao-Ping 1. 同济大学玻尔固体物理研究所,上海200092 参考文献 施引文献
引用本文（GB/T 7714）
He Jun, Zheng Hao-Ping, 同济大学玻尔固体物理研究所,上海200092. GaN及其Ga空位的电子结构[J]. Acta Physica Sinica, 2002.
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