基于铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻现象
摘要
比较了运用电子束光刻技术和真空薄膜沉积技术制备的宽度和厚度分别为20~250 nm 和10 nm 的系列铁磁金属薄膜纳米点连接在不同温度下的磁电阻现象和<italic>I-V</italic> 特性, 得出了铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻和电阻与它的中间部位纳米局部区域的宽度之间没有必然关系, 说明铁磁金属薄膜纳米点连接的中间部位纳米局部区域的电阻与它两端的两个微米尺度的铁磁金属薄膜电极的电阻相比不起绝对决定作用, 也就是说, 我们所测得的铁磁金属薄膜纳米点连接的电阻主要来自于它的两个微米尺度的铁磁金属薄膜电极. 比较了铁磁金属薄膜纳米点连接和在同样真空薄膜沉积条件下制备的同样厚度的0.2 cm×0.8 cm 的铁磁金属薄膜的磁电阻之间的关系, 发现与薄膜相比, 纳米点连接样品的磁电阻比例普遍得到较大的提高, 也就是说我们所测量的铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻主要来自于纳米点连接样品的中间部位纳米局部区域. 可以得出在铁磁金属薄膜纳米点连接中, 由于具有很高磁电阻比例的中间部位纳米局部区域的电阻与具有很低磁电阻比例的微米尺度的铁磁金属薄膜电极的电阻相比很小, 所以整个铁磁金属薄膜纳米点连接的电子输运行为由样品的微米尺度的铁磁金属薄膜电极的电子输运行为决定, 表现为它所呈现的是线性的<italic>I-V</italic> 特性曲线和类似于铁磁金属薄膜的各向异性磁电阻现象.
引用本文（GB/T 7714）
令江 汪, 鸿 刘, 维 杨, 等. 基于铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻现象[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2011.
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