常压和高压合成MgB2的低温比热及两个超导能隙研究
摘要
摘要 测量了常压和高压合成MgB2超导样品6K—80K的比热,并在数据拟合中考虑了爱因斯坦振动模的贡献,得到其电子比热数据.解释了超声测量得到的德拜温度和低温比热拟合结果之间的巨大差异.并且在12K附近观察到了异常的电子比热,此异常来源于MgB2的第二个能隙.此外,对高压和常压合成对样品的影响做了初步分析. 关键词: 低温比热 / MgB2 / 能隙 Abstract Keywords: / / 作者及机构信息 张杰3, 雒建林1, 白海洋1, 陈兆甲1, 林德华2, 车广灿1, 任治安1, 赵忠贤1, 金铎1 (1)中国科学院物理研究所,北京100080; (2)重庆大学应用物理系,重庆400044; (3)重庆大学应用物理系,重庆400044;中国科学院物理研究所,北京100080 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号 :1982 5 111)资助的课题 Authors and contacts (1)中国科学院物理研究所,北京100080; (2)重庆大学应用物理系,重庆400044; (3)重庆大学应用物理系,重庆400044;中国科学院物理研究所,北京100080 参考文献 施引文献
引用本文（GB/T 7714）
(1)中国科学院物理研究所,北京100080; (2)重庆大学应用物理系,重庆400044; (3)重庆大学应用物理系,重庆400044;中国科学院物理研究所,北京100080. 常压和高压合成MgB2的低温比热及两个超导能隙研究[J]. Acta Physica Sinica, 2002.
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