A High Performance Silicon-on-Insulator LDMOSTT Using Linearly Increasing Thickness Techniques

Guo -、Yufeng、Wang、Zhigong、Sheu、Gene、Cheng Cheng、Jianbing

2010Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 5

摘要

我们在场在侧面的双 diffused metal-oxide-semiconductor 晶体管完成一致侧面的电场和最大的故障电压的一种新技术在 silicon-on-insulator 上制作了底层。到排水管的从来源的线性地增加的飘移区域厚度被采用在设备改进电场分发。比作侧面的线性做技术和减少的表面地技术，新设备展出的二维的数字模拟表演减少了操作的特定的在抵抗上，最大的离开状态和在状态上故障电压，优异伪浸透特征和改进保险箱区域。[从作者抽象]

引用本文（GB/T 7714）

Guo -, Yufeng, Wang, 等. A High Performance Silicon-on-Insulator LDMOSTT Using Linearly Increasing Thickness Techniques[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2010.

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