Mirror image： newfangled cell-level layout technique for single-event transient mitigation

Pengcheng Pengcheng、。 Huang、Shuming、Chen、Zhengfa、Liang Liang、Jianjun、Chunmei

2014中国科学通报：英文版Engineering被引 6

摘要

最近的年， combinational 电路变硬正在成为一颗普通担心。不同于晶体管级的变硬技术，房间级的变硬技术，一 divide 并且征服策略，能实质地在房间电路模块中使用一些典型特性减轻单个事件短暂(集合) 敏感。在这份报纸建议的镜像( MI )技术能足够地提高与 stage-by-stage 象转换一样结构在那些房间电路分享的费用? 3D TCAD 混合模式模拟在 65 被执行了? nm 成双井的体积互补金属氧化物半导体过程，结果显示 MI 技术罐头几乎超过 25 从前面阶段的 PMOS 减少 SET 脉搏宽度?%，和罐头从以后阶段的 PMOS 减轻 SET 脉搏宽度大约 10 ?%。MI 技术，一房间级的技术的 represent，可以是 combinational 电路变硬的未来。

引用本文（GB/T 7714）

Pengcheng Pengcheng, 。 Huang, Shuming, 等. Mirror image： newfangled cell-level layout technique for single-event transient mitigation[J]. 中国科学通报：英文版, 2014.

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