Recent progresses on InGaN quantum dot light-emitting diodes

2014Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniPhysics and Astronomy被引 1

摘要

InGaN 量点(QD ) 在最近的年里吸引了许多研究兴趣让他们的潜力认识到长波长来自绿色的可见排放到红，它能铺平一条道路制作射出二极管(LEDs ) 的没有黄磷的白光。在这篇论文，我们在 InGaN QD LEDs 上报导了我们的最近的进步，讨论在自我装配的 InGaN QD 被奉献给紧张松驰的基本物理模型，有由金属的一个生长打断方法的 InGaN QD 的生长器官的蒸汽阶段取向附生，优化在多层的 InGaN QD ，绿色的示范，黄绿色、红的 InGaN QD LEDs ，和未来挑战轧了障碍生长。

引用本文（GB/T 7714）

Lai, Wang, Wenbin, 等. Recent progresses on InGaN quantum dot light-emitting diodes[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2014.

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