Ta/NiO/NiFe/Ta的磁性及界面的结构
摘要
利用磁控反应溅射方法以Ta作为缓冲层制备了Ta/NiO/NiFe/Ta薄膜, 磁性分析表明, 该结构薄膜的交换耦合场为9.6 ´ 10<sup>3</sup> A/m, 但是所需NiO的实际厚度增加了. 采用X射线光电子能谱研究了Ta/NiO/Ta界面, 并进行计算机谱图拟合分析. 结果表明界面反应是影响层间耦合的一个重要因素. 在Ta/NiO界面处发生了反应: 2Ta + 5NiO = 5Ni + Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>, 使得界面有“互混层”存在. X射线光电子能谱深度剖析表明Ni + NiO的混合层厚度约8~10 nm,从而导致NiO钉扎实际厚度增加.
引用本文（GB/T 7714）
纪美 肖, 逢吾 朱, 广华 于, 等. Ta/NiO/NiFe/Ta的磁性及界面的结构[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2000.
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