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Electrical Properties of Sputter-deposited ZrO2-based Pt/ZrO2/Si Capacitors

Keunbin、Yim、Yeonkyu、Park、Anna Anna、Namhee、Cho Cho、Chongmu

2006Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 1

摘要

在 ZrO_2 被无线电扔的地方， Pt/ZrO_2/Si 三明治组织频率( r.f )磁控管在 O_2/Ar 煤气的混合的气氛用一个 Zr 目标劈啪作响，被制作， O_2/Ar 的效果流动在反应劈啪作响过程的比率，退火的温度，结构上的 ZrO_2 电影厚度， ZrO_2films 的表面粗糙和 Pt/ZrO_2/Si metal-oxide-semiconductor (瞬间)的电的性质电容器我们 reinvestigated 。 Pt/ZrO_2/Si 电容器的最佳进程参数以电容被最大化的如此的一个方法和漏泄电流基于 reactivelysputtered-ZrO_2 决定那是 1.5 的 O_2/Ar 流动比率，氧化物收费，并且接口陷井密度被最小化， 800 deg C 的退火的温度，并且 10 nm 的电影厚度。另外，在 Pt/ZrO_2/Si 电容器的传导机制被讨论了。

引用本文（GB/T 7714）