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Atomic Diffusion in Cu/Si （111） and Cu/SiO2/Si （111） Systems by Neutral Cluster Beam Deposition

曹博、李公平、陈熙萌、Cho、Seong—Jin、Kim、Hee

2008Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniPhysics and Astronomy被引 2

摘要

Cu 电影被电离的簇横梁(ICB ) 在二种 p 类型 Si (111 ) 底层上扔技术。接口反应和 Cu/Si (111 ) 和 Cu/SiO2/Si (111 ) 的原子散开系统被 X 光衍射(XRD ) 和卢 backscattering spectrometry (RBS ) 在不同退火的温度学习。一些重要结果被获得：为中立的簇准备的 Cu/Si (111 ) 样品，内部当在 230 度 C 退火了时， Cu 和 Si 原子的散开发生。样品的散开系数在 230 度 C 和 500 度 C 退火了是 8.5 x 10 (-15) 厘米(2 ).s (-1) 并且 3.0 x 10 (-14) 厘米(2 ).s (-1), 分别地。copper-silicide 阶段的形成被 XRD 观察，并且它的紧张随退火的增加变得更强壮温度。为中立的簇准备的 Cu/SiO2/Si (111 ) 样品，内部 Cu 和 Si 原子的散开发生并且当在 450 度 C 退火了时，铜 silicides 被形成。在 Si 的 Cu 的散开系数被计算是 6.0 x 10 (-16) 厘米(2 ).s (在 450 度 C 的 -1) ， SiO2 层的存在压制的事实的线索内部 Cu 和 Si 的散开。

引用本文（GB/T 7714）