Surface Polishing of 6H-SiC Substrates

Xiufang、Chen、Xiangang、Xu、Juan、Li、Shouzhen、Jiang 

2007Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 4

摘要

为硅碳化物擦亮的表面(原文如此)底层被调查 andresults 为机械擦亮被介绍( MP )并且chemo机械的擦亮( CMP ) .High qualitysurfaces 在 CMP 期间在物理的 MP anddetailed 和化学过程与擦伤的胶体的 silica.The 移动机制在 CMP 以后被获得是 MP 和 CMP 的 analyzed.The 效果在 thesurface 上，粗糙被光显微镜学( OM )估计，原子力量显微镜学( AFM )和高分辨率 X

引用本文（GB/T 7714）

Xiufang, Chen, Xiangang, 等. Surface Polishing of 6H-SiC Substrates[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2007.

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