Flashover in Back-Triggered Photoconductive Semiconductor Switch

Shi、Wei Wei、Jia、Ji-Qiang、Ji、Weili、Huai-Meng

2011Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 2

摘要

光导的半导体开关(PCSS ) 的一种新类型的设计被介绍，并且 withstand 电压被改进。被触发背的 PCSS 的飞弧电压被发现比被触发前面的的高。由分析在被触发背的 PCSS 和被触发前面的 PCSS 之间的飞弧电压的差别，详细统计分析和理论解释被详细说明。实验也证明我们开发了的 PCSS 能在 30 Hz 的重复频率下面象 20 kV 一样高抵抗电压。

引用本文（GB/T 7714）

Shi, Wei Wei, Jia, 等. Flashover in Back-Triggered Photoconductive Semiconductor Switch[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2011.

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