Interface Stability of the SiC Particles/Fe Matrix Composite System
摘要
接口反应在之间原文如此，粒子(SiC_p ) 和 Fe 在 SiC_p 增强了的 sintering 期间被学习在为 1 h 的 1423 K 的 Fe 矩阵 composites。在合成的有 3wt%{ 重量比率 } SiC_p (3 SiC_p/Fe 合成) ， Fe_3Si 的接口产物，碳猛抛，并且 Fe_3C 或珠泽铁被产生。Fe_3Si 构造明亮的矩阵。处于 SiC_p 的原来的状况的反应区。碳猛抛随机在反应区被嵌入。Fe_3C 或珠泽铁在 theFe 矩阵的谷物边界存在。作为在 SiC_p 增加 SiC_p 集中我 Fe 合成，在 SiC_p 和 Fe 之间的接口反应的紧张增加。在 10 SiC_p 以后我 Fe 合成 { 有 10 wt.percent SiC_p } 在为 1 h 的 1423 K 的 sintered，所有 SiC_p 被分解，并且代替由在那里，由 Fe_3Si 组成的行动地区和碳猛抛。没有 Fe_3C 或珠泽铁在反应期间被产生。SiC_p，由和 Cr 粉末的相互作用的涂层 SiC_p，和由补充说 SiC_p/Fe 合成系统的 interfacest 能力上的 Cr 元素也是的 Fe 矩阵分别地调查了的 alloying 氧化的技术的效果。SiC_p 上的氧化物膜和涂层层能在 sintering 期间从 Fe 矩阵由 isolatingSiC_p 禁止在 SiC_p 和 Fe 之间的接口反应。接口反应不发生在合成的 3 SiC_p IFe-10 Cr，但是在 3 SiC_p/Fe-5 Cr 合成。在 SiC_p/Fe-Cr 合金 composites，在 SiC_p 和 Fe- Cr 合金之间的接口反应在 SiC_p 和 Fe 之间是比那弱的。TheCr 元素是表现一稀释，它在接口反应引起减小，它与增加的元素的数量成正比。