Etching mechanism of barium strontium titanate （BST） thin films in CHF_3/Ar plasma
摘要
反应离子蚀刻被用来蚀刻钡锶 titanate 在 CHF3/Ar 血浆的薄电影。在蚀刻前后的 BST 表面被 X 光检查光电子光谱学分析调查蚀刻机制的反应离子，并且化学反应发生在 F 血浆和 Ba 之间， Sr 和 Ti 金属种类。这些金属的氟化物在蚀刻的过程期间在表面上被形成并且留下。因为 TiF4 副产品是不稳定的， Ti 几乎完全被移开。Ti-F 的次要的数量能被狭窄的扫描 X 光检查光电子系列仍然检测，并且 Ti-F 被认为在 metal-oxy-fluoride 形式在场。这些种类从 O1s 系列被调查，并且充满氟化物的表面在蚀刻期间被形成。BaF2 和 SrF2 残余是困难的因为他们的高沸腾点，搬迁。蚀刻的率被限制到 12.86 nm/min。C-F 聚合物没在表面上被发现，显示 BaF2 和 SrF2 的移动为进一步的蚀刻是重要的。A 1-min Ar/15 血浆物理劈啪作响为表面蚀刻的每 4 min 被执行，它有效地搬迁了留下的表面残余。顺序的化学反应并且蚀刻劈啪作响是为钡锶 titanate 电影的一个有效蚀刻方法。
引用本文（GB/T 7714）
Dai, Liping, Wang, 等. Etching mechanism of barium strontium titanate （BST） thin films in CHF_3/Ar plasma[J]. 中国科学通报：英文版, 2011.
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