Properties of Al-doped Copper Nitride Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering
摘要
Cu3N；艾尔 x Cu3N 电影与反应磁控管劈啪作响被准备方法。二部电影在 0.8 Pa N2 部分压力在玻璃底层上被扔；由使用纯 Cu 的 100 ° C 底层温度；艾尔目标分别地。X 光检查衍射(XRD ) 大小证明未做的电影与 anti-ReO3 结构由 Cu3N 雏晶组成；采用[111 ] 比较喜欢的取向。做 Al 的一氮化三铜的生长拍摄的 XRD 表演(艾尔 x Cu3N ) 被做艾尔，强烈影响紧张[111 ] 有增加艾尔的集中的山峰减少；艾尔的高集中能阻止 Cu3N 结晶化。AFM 证明艾尔 x Cu3N 电影的表面比 Cu3N 电影的光滑。与 Cu3N 电影相比，做 Al 的一氮化三铜电影(艾尔 x Cu3N ) 的抵抗力被减少了，；微坚硬被提高了。
引用本文（GB/T 7714）
Li, Xing'ao, Liu, 等. Properties of Al-doped Copper Nitride Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2007.
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