Design of 2.1 GHz CMOS Low Noise Amplifier

Li、En-ling、Song、Lin-hong、Yang、Dang-qiang、Xue、Ying

2006中国邮电高校学报：英文版Engineering被引 4

摘要

这篇论文讨论设计一充分微分用 TSMC 0.25 μ m 互补金属氧化物半导体过程的 2.1 GHz 互补金属氧化物半导体法律噪音放大器。在 3G 为使用打算了，低噪音放大器是充分综合的并且没有离开薄片部件。一辆 LC 坦克撕了的设计使用放一个大电感器完成一更小死防护的区域，和使用填电容改进噪音表演。这篇论文也论述设计的评估结果。

引用本文（GB/T 7714）

Li, En-ling, Song, 等. Design of 2.1 GHz CMOS Low Noise Amplifier[J]. 中国邮电高校学报：英文版, 2006.

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