High dV/dt immunity MOS controlled thyristor using a double variable lateral doping technique for capacitor discharge applications

Chen、WanJun、Sun、Rui-Ze、Peng、Chao-Fei、Zhang、Bo Bo

2014中国物理B：英文版Engineering被引 7

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引用本文（GB/T 7714）

Chen, WanJun, Sun, 等. High dV/dt immunity MOS controlled thyristor using a double variable lateral doping technique for capacitor discharge applications[J]. 中国物理B：英文版, 2014.

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