Cu Diffusion in Co/Cu/TiN Films for Cu Metallization

Xiuhua、Chen、Xinghui、Wu、Jinzhong、■ Xiang、Zhenlai、Zhou

2006Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniPhysics and Astronomy被引 1

摘要

怎么使用的一些信息在原处决定了 Cuto 的散开系数在极端大规模集成(ULSI ) 做 Cu 敷金属法的障碍层被提供。在在低温度的公司的 Cu 的散开系数决心分析 Cu 移植到 Cosurface 层。散开深度用 X 光检查光电子被分析在不同温度在公司调查 Cu 的散开效果的光谱学(XPS ) 深度侧面。障碍层的可能的预告的处理温度和时间能在公司根据 Cu 的散开系数被预言。

引用本文（GB/T 7714）

Xiuhua, Chen, Xinghui, 等. Cu Diffusion in Co/Cu/TiN Films for Cu Metallization[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2006.

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