Thermal analysis for fast thermal-response Si waveguide wrapped by SiN
摘要
硅氮化物(罪恶) 包的 Si 波导的一种新类型被设计，并且它的光、热的分析被介绍。罪恶的厚度穿着得起来应该比 1 m 大以便由金属加热器阻止光地的吸收。建议波导结构的热反应被罪恶的高热的传导性提高。而且，这热回答能进一步由在这结构创造的一条快热驱散隧道被改进。我们的模拟结果显示大约 110 ns 的一上升时间能为建议波导结构被完成，它是大约二个数量级不到常规 Si 波导的。厚度的影响穿着得起来并且热表演上的拉长的宽度和蚀刻的深度也被讨论。模拟证明薄穿着得起来的、大拉长的宽度和蚀刻的深度是批评的提高热反应速度。
引用本文（GB/T 7714）
Rui Rui, Min Min, Ruiqiang, 等. Thermal analysis for fast thermal-response Si waveguide wrapped by SiN[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2012.
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