利用特殊脉冲电源电沉积制备CuInSe<sub>2</sub>薄膜
摘要
采用钟形波调制的方波脉冲电源以恒电流模式在导电玻璃基底(ITO)上电沉积制得了CuInSe2薄膜, 用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对在不同频率下制备的CuInSe<sub>2</sub>薄膜的表面形貌、成分组成和组织结构进行了研究. 结果发现, 在合适频率下制得的薄膜表面平整, 颗粒均匀致密, 成分接近理想化学计量比, 具有单一的黄铜矿结构. 在氮气气氛下退火处理后, 薄膜结晶性能有较大提高. 同时, 通过薄膜截面分析发现, 在脉冲恒电流模式下沉积速率较快, 膜层与基底结合紧密, 对工业化生产具有重要意义.
引用本文（GB/T 7714）
绍明 万, 晓丽 王, 祖亮 杜, 等. 利用特殊脉冲电源电沉积制备CuInSe&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;薄膜[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2010.
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