Persistent Photoconductivity in n-type GaN

Deng、Dongmei、Wang、Jinyan、Zhao、Degang、Wen Wen、Zheng Zheng

2006半导体光子学与技术：英文版Physics and Astronomy被引 1

摘要

在 n 类型的坚持的光导增益(PPC ) 现象轧了电影成年 bymetalorganic 化学药品蒸汽免职(MOCVD ) 被学习了。在使用一些测试和分析方法以后，例如双水晶X光检查衍射( DCXRD )，光致发光( PL )系列，等等，在n类型的 PPC 轧了影响的问题不相对脱臼和黄乐队( YB )，这被发现，并且被 Si 的做的水平很可能引起。

引用本文（GB/T 7714）

Deng, Dongmei, Wang, 等. Persistent Photoconductivity in n-type GaN[J]. 半导体光子学与技术：英文版, 2006.

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