玻璃基底上Cd(S,Se)膜结构的一维特征

1994Chinese Science Bulletin (Chinese Version)Engineering被引 1开放获取

摘要

半导体材料CdS,CdSe薄膜因其优良的光电特性和广泛的应用前景,一直受到人们的重视.目前,许多研究组已对该膜的制备方法,结构与性能进行了比较细致的研究.Ray等对用常规真空蒸发方法制备的CdS薄膜进行了研究,发现随着膜厚度从13600A减少到1200A,膜的电阻由0.15变到3.7Ω 膜的透射率为80—90%,作者认为CdS膜具有六方结构,在(002)方向具有高度择优取向.Chuu等曾对用脉冲激光蒸发(PLE)和热蒸发(TE)方

引用本文（GB/T 7714）

毓峰郑. 玻璃基底上Cd(S,Se)膜结构的一维特征[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 1994.

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DOI：https://doi.org/10.1360/csb1994-39-9-852

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