Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Te三元半导体的禁带宽度
摘要
三元系Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Te(0≤<italic>x</italic>≤1)随着<italic>x</italic>的增大由半金属转变成半导体,半导体的禁带宽度<italic>E<sub>g</sub></italic>既是发展红外探测器的基本参数,又是能带结构研究中必须由实验来确定的两个最基本的参数之一(另一个是电子有效质量<italic>m</italic>*或动量矩阵元<italic>P</italic>),因而它与组分<italic>x</italic>和温度<italic>T</italic>的关系是一个特别重要的问题,有过不少的研究报道.
引用本文（GB/T 7714）
君浩 褚, 世秋 徐, 定元 汤. Hg&lt;sub&gt;1-x&lt;/sub&gt;Cd&lt;sub&gt;x&lt;/sub&gt;Te三元半导体的禁带宽度[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 1982.
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