Acid etching process for fabrication of Bi2Sr2CaCu2O8＋x stack

Zhang、Jie Jie、Chen、Jian JIAN、Wu、Jingbo、Kang、Lin

2007中国科学通报：英文版Physics and Astronomy被引 2

摘要

我们采用了一个新方法，酸的蚀刻过程，挑选晶体基于 Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+x ) 制作 intrinsicJosephson 连接。由浸泡晶体进 dilute 盐酸，我们成功地制作了连接栈，并且同时使包围区域绝缘。盐酸的某个集中被用来维持修改的层的粗糙。当前电压的特征通过四终端大小被完成。我们能由改变集中和 thes oaking 时间控制连接的数字。我们也发现栈的厚度等于屏蔽层的平均高度。有高收益的如此的一个简单、方便、可控制的制造方法可能拓宽内在的 Joseph 儿子连接的应用。

引用本文（GB/T 7714）

Zhang, Jie Jie, Chen, 等. Acid etching process for fabrication of Bi2Sr2CaCu2O8＋x stack[J]. 中国科学通报：英文版, 2007.

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