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镶嵌在SiO<sub>2</sub>薄膜中的纳米InSb颗粒的制备

立德 张建中 石彦峰 魏开贵 朱

1998Chinese Science Bulletin (Chinese Version)Materials Science被引 2

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摘要

用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在SiO<sub>2</sub> 薄膜中的纳米InSb颗粒 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO<sub>2</sub> 介质中 .通过控制热处理的条件 ,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒 .InSb颗粒的尺寸与热处理温度和时间成正比 ,但是并不满足<italic>t</italic><sup>1/3</sup> 的关系.另外,还通过X射线衍射以及X射线光电子能谱对InSb SiO<sub>2</sub>复合薄膜的结构和成分进行了分析

引用本文(GB/T 7714)

立德 张, 建中 石, 彦峰 魏, 等. 镶嵌在SiO&amp;lt;sub&amp;gt;2&amp;lt;/sub&amp;gt;薄膜中的纳米InSb颗粒的制备[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 1998.

引文网络

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DOI:https://doi.org/10.1360/csb1998-43-13-1389

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