InAs/GaAs far infrared quantum ring inter-subband photodetector

Mohammad、Karimi Karimi、Kambiz、Abedi、Zavvari

2014Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 2

摘要

在这份报纸，我们为 InAs/GaAs 量戒指 inter-subband 光电探测器(QRIP ) 介绍了吸收系数，黑暗水流和特定的 detectivity 的数字分析。3D Schr ? dinger 方程用有限差别方法并且基于有效质量被解决近似。量戒指(QR ) 的尺寸被认为转变将为 20 m 的放射被完成的那 inter-subband。反响的通道(RT ) 障碍与 0.062 兆电子伏的精力为电子与统一的通道概率被设计降低常规 QRIP 的黑暗电流。数字分析证明 RT 障碍的那包括能为大约二个数量级减少黑暗电流。而且，为常规 QRIP 和 RT-QRIP 的特定的 detectivities 分别地是计算的，并且在不同温度的结果被比较。为 RT-QRIP 的特定的 detectivity 为常规 QRIP 比那高一个数量级，这被建议。RT 障碍更加在不同温度改进常规 QRIP 的特定的 detectivity，这被建议。

引用本文（GB/T 7714）

Mohammad, Karimi Karimi, Kambiz, 等. InAs/GaAs far infrared quantum ring inter-subband photodetector[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2014.

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