Fine Machining of Large-Diameter 6H-SiC Wafers

Xiufang、Chen、Juan、Li、Deying、Ma、Xiaobo、Hu

2006Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 9

摘要

大直径的 6H-SiC 晶片的三主要用机器制造进程在这篇论文被介绍。这些过程包括切，舔并且擦亮。舔的原因伟人剩余压力和能与随后的擦亮的过程逐渐地被减少的深损坏层。机械擦亮准备的表面(MP ) 出现了有 5-8 nm 的深度的很多擦伤。这些擦伤能被 chemo-mechanicalpolishing (CMP ) 有效地移开。在 CMP 以后，有粗糙 R_a=0.3 nmwas 的极其光滑、低的损坏层表面获得了。原子力量显微镜学(AFM ) 和光显微镜学被用来观察到样品和高分辨率 X 光检查衍射计(HRXRD ) 的表面形态学被用于表面下的区域的水晶格子完美。表面剩余压力的变化被 HRXRD 在用机器制造过程期间调查。

引用本文（GB/T 7714）

Xiufang, Chen, Juan, 等. Fine Machining of Large-Diameter 6H-SiC Wafers[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2006.

引文网络

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