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Ge-on-Si for Si-based integrated materials and photonic devices

Weixuan、Hu、Buwen、Cheng Cheng、Chunlai、Xue、Shaojian、Su

2012Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 3

摘要

这份报纸在 Ge-on-Si 的 photonic 设备申请考察最近的进步。因为有 Si 互补 metal-oxide-semiconductor (互补金属氧化物半导体) 的成熟取向附生的技术和相容性， Ge-on-Si 材料和光设备是基于 Si 的 optoelectronic 集成的合适的候选人技术。最近，电泵的 Ge 的现实点亮射出二极管(带)并且光泵的脉搏 Ge 激光， Ge 量井调节的人基于量空限制效果，波导 Ge 调节的人基于 Franz-Keldysh ( FK )效果，和高效在红外线附近的 Ge 察觉者，用 Ge photonic 设备显示了 基于Si 的 optoelectronic 集成。Ge-on-Si 材料也是一个重要平台为 Sibased optoelectronic 集成在它上种另外的材料。InGaAs 和 GeSn 在 Ge-on-Si 上被种了。带的 InGaAs 和 GeSn 光电探测器成功地也被制作了。

引用本文（GB/T 7714）