Current Progress of Hf （Zr）-Based High-k Gate Dielectric Thin Films
摘要
与互补 metal-oxide-semiconductorfield 效果晶体管尺寸的继续的 downscaling ，高电介质的常数( high-kappa )门材料作为 SiO2 的选择，是广泛地， investigated.Hf ( Zr )基于 high-kappa 门电介质薄电影由于他们的优秀物理性质和表演为半导体根据国际技术路线图被认为是 high-kappa 门电介质的最有希望的候选人。这篇论文在基于的 Hf ( Zr )上考察最近的进步基于 PVD (物理蒸汽免职)， process.This 文章与为产生 Hf ( Zr )开发的各种各样的方法的调查开始的 high-kappa 门电介质基于 high-kappa 门电介质，然后主要集中于微观结构，合成，描述，界面的层的形成机制，和 Hf ( Zr )的光性质基于 high-kappa 门电介质。最后，这评论与向关于 Hf (Zr ) 的未来研究的观点基于的个人结束 high-kappa 门电介质。
引用本文（GB/T 7714）
Gäng, He, Lide, 等. Current Progress of Hf （Zr）-Based High-k Gate Dielectric Thin Films[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2007.
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