Arc-Discharge Synthesis and Microstructure Characterization of AIN Nanowires

Zhijie、Li -、Zhiqi、Shen Shen、Fu、Wang、Lianlong、He

2006Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 2

摘要

有六角形的结构的 AlN nanowires 用一个 improvedarc 分泌物方法被综合，他们的微观结构用一台 high-resolutiontransmission 电子显微镜被描绘。综合目的 nanowires 具有各种各样的形状。Theirdiameters 从 20 ～ 110 nm ，长度直到 20 亩 m。大多数由氧化铝的非结晶的层涂的 AlN nanowireswere。制造产量是大约几克。Thegrowth 机制被认为是一个 vapor-liquid-solid 过程，艾尔微滴在玩的成长得当的 AlN nanowire 的顶上形成了催化剂的一个角色。

引用本文（GB/T 7714）

Zhijie, Li -, Zhiqi, 等. Arc-Discharge Synthesis and Microstructure Characterization of AIN Nanowires[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2006.

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