Electronic Band Gap of ZnO under Triaxial Strain

Qin Qin、Guoqiang、Zhang、Guanglei、Yang、Jinhu、Yu、Gäng

2013Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniMaterials Science被引 3

摘要

wurtzite ZnO 的乐队差距上的 triaxial 紧张的效果被第一原则计算调查了。结果显示在 triaxial 紧张的申请以后， wurtzite ZnO 仍然在点是有传导乐队和原子价乐队最小遗体的一个直接乐队差距半导体。与不勉强的 ZnO 作比较，在点的 E g 在压缩紧张下面增加，但是在张力的紧张下面减少。这个 triaxial 紧张模型比广泛地采用的在里面飞机 biaxial 紧张模型在对试验性的结果的更好的同意，因此在三维的紧张下面在 ZnO 薄电影的行为上提供更精确的解释。

引用本文（GB/T 7714）

Qin Qin, Guoqiang, Zhang, 等. Electronic Band Gap of ZnO under Triaxial Strain[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2013.

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