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Nanoscale strained-Si MOSFET physics and modeling approaches： a review
Chaudhry、Roy Roy、Garima Garima、Joshi
2010半导体学报：英文版Engineering被引 1
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引用本文（GB/T 7714）
Chaudhry, Roy Roy, Garima Garima, 等. Nanoscale strained-Si MOSFET physics and modeling approaches： a review[J]. 半导体学报：英文版, 2010.
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