Thermoelectric transport across graphene/hexagonal boron nitride/graphene heterostructures
摘要
我们越过 graphene/hexagonal 硼氮化物(h-BN ) 报导热电的运输大小 /graphene heterostructure 设备。用一种交流占据技术，我们能分开热电的贡献到这些重要设备结构的 IV 特征。温度坡度用拉曼光谱学光学地被测量，它使我们能探索在材料接口生产的热电的运输，越过就 12 nm 的长度规模。基于观察热电的电压(V) 和温度坡度(T) ， 99.3 V/K 的一个 Seebeck 系数为 heterostructure 设备被查明。获得的 Seebeck 系数能为在新兴的 2D heterostructure 设备的跨飞机的 IV 行为理解热电的部件是有用的。这些结果提供一条途径给在二维的分层的 heterostructures 探查热电的精力变换。
引用本文（GB/T 7714）
Chun-Chung, Chen, Zhen Zhen, 等. Thermoelectric transport across graphene/hexagonal boron nitride/graphene heterostructures[J]. 纳米研究：英文版, 2015.
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