Partial-SOI high voltage P-channel LDMOS with interface accumulation holes

Wu、Lijuan、Hu、Sheng-dong、Luo、Xiaorong Xiaorong、Zhang、Bo Bo

2011Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 1

摘要

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引用本文（GB/T 7714）

Wu, Lijuan, Hu, 等. Partial-SOI high voltage P-channel LDMOS with interface accumulation holes[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2011.

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