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Improved empirical DC I-V model for 4H-SiC MESFETs
Cao、QuanJun、Zhang、Yi-Men、Yuming、Lv、Hongliang、Wang
2008Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 2
摘要
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引用本文（GB/T 7714）
Cao, QuanJun, Zhang, 等. Improved empirical DC I-V model for 4H-SiC MESFETs[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2008.
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