在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格
摘要
摘要 利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111)(7×7)表面上的自组织生长.通过控制Ge的沉积量,在Si(111)(7×7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞的位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论 关键词: 扫描隧道显微镜(STM) / Si(111)-(7×7)表面 / 二维Ge团簇超晶格 Abstract Keywords: / / 作者及机构信息 闫隆, 张永平, 彭毅萍, 庞世谨, 高鸿钧 1. 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室,北京100080 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号 :6 9770 0 1)资助的课题~~ Authors and contacts Yan Long, Zhang Yong-Ping, Peng Yi-Ping, Pang Shi-Jin, Gao Hong-Jun 1. 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室,北京100080 参考文献 施引文献
引用本文（GB/T 7714）
Yan Long, Yongping Zhang, Peng Yi-Ping, 等. 在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格[J]. Acta Physica Sinica, 2002.
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