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Analytical capacitance model for 14 nm Fin FET considering dual-k spacer
郑芳林、刘程晟、任佳琪、石艳玲、孙亚宾、李小进
2017中国物理B：英文版Engineering被引 1
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引用本文（GB/T 7714）
郑芳林, 刘程晟, 任佳琪, 等. Analytical capacitance model for 14 nm Fin FET considering dual-k spacer[J]. 中国物理B：英文版, 2017.
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